ซิลิคอนคาร์ไบด์หยาบ
video

ซิลิคอนคาร์ไบด์หยาบ

Coarse Silicon Carbide เป็นวัสดุเซมิคอนดักเตอร์ผสมที่ประกอบด้วยซิลิคอน (Si) และคาร์บอน (C) มีพันธะที่แข็งแกร่งมากและมีความเสถียรทางความร้อน ทางเคมี และทางกล
ส่งคำถาม
การแนะนำสินค้า

ซิลิคอนคาร์ไบด์ 100 กรวด คำอธิบาย

อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์กำลังสูง-เซมิคอนดักเตอร์รุ่นที่สาม-ที่นำเสนอโดย SiC เป็นหนึ่งในอุปกรณ์เซมิคอนดักเตอร์กำลังที่เติบโตเร็วที่สุดในสาขาอิเล็กทรอนิกส์กำลัง

 

ซิลิคอนคาร์ไบด์เป็นตัวแทนทั่วไปของวัสดุเซมิคอนดักเตอร์รุ่นที่สาม แต่ยังเป็นเทคโนโลยีการผลิตคริสตัลที่เป็นผู้ใหญ่ที่สุดและระดับการผลิตอุปกรณ์ ซึ่งเป็นหนึ่งในวัสดุเซมิคอนดักเตอร์แบนด์วิธกว้างที่ใช้กันอย่างแพร่หลายที่สุด ได้สร้างห่วงโซ่อุตสาหกรรมวัสดุ อุปกรณ์ และแอปพลิเคชันระดับโลก เป็นวัสดุเซมิคอนดักเตอร์ในอุดมคติสำหรับการใช้งานที่มีอุณหภูมิสูง-ความถี่สูง- การต้านทานรังสี- และการใช้งานที่มีกำลังสูง-

 

 

 

 

ข้อมูลจำเพาะของผลิตภัณฑ์ซิลิคอนคาร์ไบด์

ซัพพลายเออร์ผลิตภัณฑ์ซิลิคอนคาร์ไบด์-ZhenAn International

 

 

การวิเคราะห์ทางเคมีทั่วไป
ซิซี 99.05%
SiO2 0.20%
ฟ, ศรี 0.03%
เฟ2O3 0.10%
F.C 0.04%
คุณสมบัติทางกายภาพโดยทั่วไป
ความแข็ง: โมห์ส:9.5
จุดหลอมเหลว: ระเหิดที่ 2600 องศา
อุณหภูมิบริการสูงสุด: 1900 องศา
ความถ่วงจำเพาะ: 3.2ก./ซม.³
ความหนาแน่นรวม (LPD): 1.2-1.6 ก./ซม.3
สี: สีเขียว
รูปร่างอนุภาค: หกเหลี่ยม

 

ผู้ผลิตซิลิคอนคาร์ไบด์ 100 Grit-ZhenAn International

Silicon Carbide 100 Grit manufacturer-ZhenAn International

 

ผู้จัดจำหน่ายผง SiC-ZhenAn

 SiC Powder supplier-ZhenAn

 

คุณสมบัติทางกล:ความแข็งสูง (ความแข็งแบบเจลดาห์ล 3000กก./มม.²) สามารถตัดทับทิมได้ ทนทานต่อการสึกหรอสูง รองจากเพชรเท่านั้น

 

คุณสมบัติทางความร้อน:ค่าการนำความร้อนสูงกว่าทองแดงโลหะ 3 เท่าของ Si และ 8 ถึง 10 เท่าของ GaAs กระจายความร้อนได้ดี สำคัญมากสำหรับอุปกรณ์กำลังสูง

 

คุณสมบัติทางเคมี:ความต้านทานการกัดกร่อนมีความแข็งแรงมาก ที่อุณหภูมิห้องสามารถต้านทานสารกัดกร่อนเกือบทุกชนิดที่รู้จัก พื้นผิว SiC ออกซิเดชันได้ง่ายเพื่อสร้างชั้นบาง ๆ ของ SiO2 สามารถป้องกันการเกิดออกซิเดชันเพิ่มเติมได้ในระดับที่สูงกว่า 1,700 องศา ชั้นฟิล์มออกไซด์นี้จะละลายและเกิดปฏิกิริยาออกซิเดชั่นอย่างรวดเร็ว SiC สามารถละลายได้ในวัสดุตัวออกซิไดซ์ที่หลอมละลาย

 

คุณสมบัติทางไฟฟ้า:4H-SiC และ 6H-ช่องว่างของแถบ SiC ประมาณ 3 เท่าของ Si, 2 เท่าของ GaAs; ความแรงของสนามไฟฟ้าพังทลายของมันคือขนาดที่สูงกว่าของ Si หนึ่งลำดับ และอัตราการดริฟท์ของอิเล็กตรอนอิ่มตัวคือ 2.5 เท่าของ Si. 4H-SiC มีช่องว่างของแถบความถี่ที่กว้างกว่า 6H-SiC

 

ภาพถ่ายการเยี่ยมชมของลูกค้า 36 Grit Silicon Carbide

36 Grit Silicon Carbide Customer visit photos

 

คำถามที่พบบ่อย

 

 

ถาม: ราคาต่อรองได้หรือไม่?

ตอบ: ได้ โปรดติดต่อเราได้ตลอดเวลาหากคุณมีคำถามใด ๆ และสำหรับลูกค้าที่ต้องการขยายตลาด เราจะพยายามอย่างเต็มที่เพื่อสนับสนุนพวกเขา

ถาม: คุณสามารถจัดหาตัวอย่างฟรีได้หรือไม่?

ตอบ: ได้ เราสามารถจัดเตรียมตัวอย่างฟรีแก่ลูกค้าเพื่อให้พวกเขาตรวจสอบคุณภาพหรือทำการวิเคราะห์ทางเคมี แต่โปรดบอกข้อกำหนดโดยละเอียดเพื่อให้เราเตรียมตัวอย่างที่ถูกต้อง

ถาม: คุณสามารถจัดส่งสินค้าได้เมื่อใด

A: โดยปกติเราสามารถจัดส่งสินค้าภายใน 15-20 วันหลังจากที่เราได้รับการชำระเงินขั้นสูงหรือ L/C เดิม

ถาม: คุณสามารถจัดหารายงานผลการทดสอบที่ออกโดย SGS หรือการตรวจสอบโดยบุคคลที่สาม-ได้หรือไม่?

ตอบ: ได้ เราทำได้ หากลูกค้าขอ-รายงานการทดสอบจากบุคคลที่สาม

เราหวังเป็นอย่างยิ่งว่าจะได้เป็นพันธมิตรของคุณ เรายินดีต้อนรับลูกค้าใหม่และลูกค้าเก่าเพื่อเยี่ยมชมคู่มือนี้ รวมถึงการเจรจาความร่วมมือทางการค้าในรูปแบบต่างๆ!

ป้ายกำกับยอดนิยม: ซิลิคอนคาร์ไบด์หยาบ ผู้ผลิตซิลิคอนคาร์ไบด์หยาบ ซัพพลายเออร์ โรงงาน, 100 กรวดซิลิกอนคาร์ไบด์, 600 กรวดซิลิกอนคาร์ไบด์, ผงคาร์บอรันด์, สีเขียว, sic powder abrasive, ซิลิคอนคาร์ไบด์ดีซิไดเซอร์

ส่งคำถาม

หน้าหลัก

โทรศัพท์

อีเมล

สอบถาม