วิธีการสังเคราะห์ส่วนใหญ่ใช้ธาตุซิลิกอนและไนโตรเจนสำหรับปฏิกิริยาเคมีภายใต้สภาวะ 1,300 องศาเซลเซียสถึง 1,400 องศาเซลเซียส จากนั้นจึงได้ซิลิคอนไนไตรด์ นอกจากนี้ยังสามารถสังเคราะห์ผ่านไดอิมีน หรือใช้คาร์บอนก็ได้ ปฏิกิริยาการลดความร้อนถูกสังเคราะห์ภายใต้ไนโตรเจนระหว่าง 1,400 องศาเซลเซียส ถึง 1,450 องศาเซลเซียส ปฏิกิริยาการลดความร้อนจากความร้อนเป็นวิธีที่ง่ายและเป็นวิธีการผลิตผงซิลิกอนไนไตรด์ที่คุ้มค่าในอุตสาหกรรม
หากคุณต้องการฝากซิลิคอนไนไตรด์บนเซมิคอนดักเตอร์ คุณสามารถใช้เทคโนโลยีการสะสมไอสารเคมีความดันต่ำที่อุณหภูมิค่อนข้างสูงโดยใช้เตาหลอมแบบท่อแนวตั้งหรือแนวนอน หรือคุณสามารถใช้เทคโนโลยีการสะสมไอสารเคมีที่เสริมพลาสมาที่อุณหภูมิค่อนข้างสูง . ดำเนินการภายใต้สุญญากาศต่ำ เนื่องจากพารามิเตอร์เซลล์ของซิลิคอนไนไตรด์แตกต่างจากพารามิเตอร์ของซิลิคอนที่เป็นธาตุ ฟิล์มซิลิคอนไนไตรด์ที่สร้างขึ้นจะสร้างความตึงเครียดหรือความเครียดขึ้นอยู่กับวิธีการสะสม โดยเฉพาะอย่างยิ่งเมื่อใช้เทคโนโลยีการสะสมไอสารเคมีที่เสริมพลาสมา สามารถปรับได้โดยพารามิเตอร์การสะสมซึ่งจะช่วยลดความตึงเครียด
ซิลิคอนไนไตรด์ที่เป็นเม็ดนั้นยากต่อการประมวลผลและไม่สามารถให้ความร้อนเหนือจุดหลอมเหลวได้ เพราะหากเกินจุดหลอมเหลว ซิลิคอนไนไตรด์จะสลายตัวเป็นซิลิคอนและไนโตรเจน ดังนั้นคุณต้องใส่ใจกับสิ่งนี้ในระหว่างการประมวลผล
